CMP抛光垫,预测期内复合年增长率为8.3%
化学机械抛光/平坦化(CMP)是一种通过化学作用与机械(或研磨)作用相结合来去除材料,从而获得高度光滑和平整材料表面的工艺。该工艺在半导体行业中作为标准制造流程,用于制造集成电路和存储磁盘。当以去除表面材料为目的时称为化学机械抛光,而以表面平坦化为目的时则称为
化学机械抛光/平坦化(CMP)是一种通过化学作用与机械(或研磨)作用相结合来去除材料,从而获得高度光滑和平整材料表面的工艺。该工艺在半导体行业中作为标准制造流程,用于制造集成电路和存储磁盘。当以去除表面材料为目的时称为化学机械抛光,而以表面平坦化为目的时则称为
半导体行业的风向变了!不再是老龙头一统天下,一批新势力凭借实打实的技术突破和爆发性增长,成了市场新晋的“香饽饽”。这就是被业内称作“新三朵金花”的拓荆科技、华海清科、长川科技——它们不玩概念炒作,专攻“卡脖子”的核心设备领域,硬实力直逼国际一线,甚至在部分细分
2025年10月,富士经济对全球半导体材料市场进行了调查,并发布了截至2030年的预测结果。结果显示,预计2030年市场规模将达到约700亿美元,而2025年仅为500多亿美元。其中,前端材料市场规模将达到560亿美元,后端材料市场规模将达到141亿美元。人工
前两天所长给大家更新了存储行业的动态,结论是由于AI需求的爆发,无论是DRAM内存,还是NAND Flash闪存,都进入了一轮新的上行周期。其中存储芯片是最先受益的板块,所长今天再展开分析一下存储上行周期对于芯片设备的影响以及最受益的公司。
在数字化浪潮席卷全球的当下,存储芯片作为数据存储与处理的 “基石”,其重要性不言而喻。从我们日常使用的手机、电脑,到大数据中心、人工智能服务器,都离不开存储芯片的支撑。
晶圆吸附:抛光头通过真空吸附或机械夹持来达到固定晶圆的目的。抛光过程中晶圆需要保持稳定,不希望发生任何的移动或滑动。这有助于实现精确的抛光控制,从而保证所需的表面平坦度。2,对晶圆施加压力:通过施加压力,抛光头确保晶圆表面与抛光垫紧密接触,促进均匀的材料去除。
氧化铝CMP浆料(Al2O3-CMP浆料),是以纳米氧化铝颗粒为研磨剂,添加pH值调节剂、氧化剂、分散剂、稳定剂等制造而成的应用在化学机械抛光领域的浆料。氧化铝CMP浆料通过化学腐蚀和机械研磨的共同作用来对材料表面进行抛光。
Opta™ 是一个集成了多达 10个 清洗工艺单元,基于多个抛光工艺区的系统架构。Opta™ 的模块化和灵活的架构为整个节点提供了最高的吞吐量。
在全球半导体产业链重构与国产替代加速的双重浪潮下,半导体设备作为芯片制造的“工业母机”,其自主可控已成为国家科技安全的核心命题。据SEMI数据,2024年中国大陆半导体设备市场规模预计突破3000亿元,但国产化率仅约25%(部分高端设备不足10%)。从光刻机到
二氧化硅CMP浆料(SiO2-CMP浆料),是化学机械抛光浆料的一种,是使用纯度99.999%以上、粒径在20-20nm之间的二氧化硅作为研磨颗粒,再添加pH值调节剂、分散剂、稳定剂等助剂制造而成的应用在化学机械抛光领域的浆料。
本次分享的报告全面概述了半导体制造中用于混合键合(Hybrid Bonding)的化学机械抛光(CMP)技术。CMP 被定义为一种结合化学与机械作用以实现薄膜平坦化的关键技术。报告深入探讨了 CMP 在混合键合中的作用,强调了其在实现可控凹陷和表面粗糙度方面的
要说半导体设备圈的“常青树”,应用材料绝对算一个,1967年就开张的老厂子,搁现在都50多岁了,市值还在千亿美金往上蹦跶。
2025年第一季度,全球半导体行业终于出现实质性复苏迹象。晶圆代工龙头企业产能利用率逐步回升设备企业订单量开始平稳。在这场局部回暖的过程中,一种新材料的动向也备受业内关注——钼(Molybdenum)正在成为先进制程互连与接触金属的新选择。
2025年,全球半导体产业资本开支有望突破2000亿美元大关。SEMI最新权威报告显示,AI芯片需求刺激下,台积电、三星和海力士等巨头陆续上调投资预算,HBM和先进封装产线成为新风口。就在全行业“AI+”浪潮高歌猛进之际,半导体设备龙头应用材料(AMAT.O)
化学机械抛光(CMP)是晶圆进入铜互连前的最后一道“镜面级”平整工序,抛光液中的NH₄OH与清洗段IPA在高温摩擦作用下极易逸散为NH₃和IPA蒸汽。二者虽无色,却会在短时间内造成:
2022年年报:报告期内,公司CMP设备在逻辑芯片、DRAM存储芯片、3D NAND存储芯片等领域的成熟制程均完成了90%以上CMP工艺类型和工艺数量的覆盖度,部分关键 CMP工艺类型成为工艺基准(Baseline)机台。公司CMP设备在以上领域客户端生产线均
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科技产业的进步往往以新材料的突破为前提。当前,人工智能、新能源、半导体、生物医药等领域的飞速发展,正在创造巨大的新材料需求。